Az energiaátalakító rendszereknek energiafogyasztással kell rendelkezniük. Bár a 100%-os konverziós hatásfok gyakorlati alkalmazásban nem érhető el, egy jó minőségű tápegység igen magas, közel 95%-os hatásfokot érhet el. A legtöbb teljesítmény IC működési hatékonysága meghatározott üzemi körülmények között mérhető, ezek a paraméterek az adatlapon találhatók.
A kapcsolókészülékek veszteségei MOSFET vezetési veszteség A MOSFET és a dióda az energiafogyasztást okozó fő tényezők. A kapcsolódó veszteségek főként két részből állnak: vezetési veszteségből és kapcsolási veszteségből. A MOSFET és a dióda kapcsolóelemek, és bekapcsoláskor áram folyik át a hurkon.
A készülék bekapcsolásakor a vezetési veszteséget a MOSFET bekapcsolási ellenállása (RDS(ON)) és a dióda előremenő vezetési feszültsége határozza meg. A MOSFET vezetési vesztesége (PCOND(MOSFET)) megközelítőleg egyenlő a bekapcsolt RDS(ON), a munkaciklus (D) és a MOSFET átlagos áramának (IMOSFET(AVG)) szorzatával, ha az be van kapcsolva.PCOND(MOSFET) (átlagos áramerősséggel)=IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D A fenti egyenlet közelíti a MOSFET vezetési veszteségeket egy SMPS-ben, de ez csak becslés az áramkör veszteségei, mivel az áram lineáris felfutása során disszipált teljesítmény nagyobb, mint az átlagos áramból számított disszipált teljesítmény. A "csúcsáramok" esetében pontosabb számítási módszer az áram hullámforma négyzetének integrálása az áram csúcsa és völgye közé, hogy becslést kapjunk. A következő egyenlet pontosabb becslést ad a veszteségekre, az egyszerű I² tagot az IP és IV közötti áram hullámforma I² integráljával helyettesítve. PCOND(MOSFET)=[(IP3 - IV3)/3] × RDS(BE) × D=[(IP3 - IV3)/3] × RDS( BE) × VOUT/VIN Ahol IP és IV megfelel az áram hullámforma csúcsának és völgyének, a 3. ábrán látható módon. A MOSFET áram lineárisan emelkedik IV-ről IP-re. Például, ha IV 0.25A, IP 1.75A, RDS(ON) 0.1Ω, VOUT pedig VIN/2 (D=0.5), a az átlagos áramerősség (1A) alapján a számítás a következő: PCOND(MOSFET) (átlagáram felhasználásával)=12 × 0,1 × 0.5=0.{{33} }50WA pontosabb számítás hullámforma-integrációval: PCOND(MOSFET) (az aktuális hullámforma-integrációval számítva)=[(1.753 - 0.253)/3] × 0,1 × 0.5=0.089W vagy körülbelül 78%, ami magasabb, mint az átlagos áramerősség alapján számított eredmény.
A kis csúcs-átlag arányú áramhullámformáknál kicsi a különbség a két számítás között, és az átlagos áramerősséggel történő számítás megfelel a követelményeknek.
